张炳森李茂林王晶晶孙本哲祁阳
金属学报
在BiO--(Sr+Ca)O--CuO相图上的Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi--2212) 相附近选择不同成分, 用分子束外延法制备成薄膜, 利用XRD, EDS,SEM和AFM研究了成分、衬底温度和臭氧分压对Bi--2212相薄膜成相的影响, 分析了生长速率和错配度对Bi--2212相薄膜质量的影响. 结果表明, Bi--2212相薄膜单相生成的成分范围 (原子分数) 分别为Bi 26.3%---32.4%, (Sr+Ca)37.4%---46.5%, Cu 24.8%---32.6%; 当衬底温度为720℃且臭氧分压为1.3×10-3 Pa时, 在MgO(100) 衬底上生长出质量较高的c轴外延Bi--2212相薄膜; 通过调整生长速率、更换衬底和插入不同厚度的Bi2Sr2CuO6+δ过渡层的方法, 可以改善Bi--2212相薄膜的结晶质量、表面形貌和导电特性.
关键词:
Bi2Sr2CaCu2O8+δ薄膜
,
molecular beam epitaxy
,
substrate temperature
,
ozone partial pressure
,
growth rate
,
mismatch
Rongfa CHEN
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Dunwen ZUO
,
Feng XU
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Duoseng LI
,
Min WANG
材料科学技术（英）
The contacting interface between the substrate and water-cooled base is vital to the substrate temperature during diamond films deposition by a DC (direct current) plasma jet. The effects of the solid contacting area, conductive materials and fixing between the substrate and the base were investigated without affecting the other parameters. Experimental results indicated that the preferable solid contacting area was more than 60% of total contacting areal; the particular Sn-Pb alloy was more suitable for conducting heat and the concentric fixing ring was a better setting for controlling the substrate temperature. The result was explained in terms of the variable thermal contact resistance at the interface between substrate and base. The diamond films were analyzed by scanning electron microscopy (SEM) for morphology, X-ray diffraction (XRD) for the intensity of characteristic spectroscopy and Raman spectroscopy for structure.
关键词:
diamond films
,
基体温度
,
连接界面
,
直流等离子体
朱宏喜
,
顾超
,
薛永栋
,
任凤章
物理测试
利用扫描电镜观察了CVD自支撑金刚石薄膜的表面形貌组织,利用X射线衍射技术检测了薄膜织构。研究表明,不同衬底温度条件下制备的金刚石薄膜形成不同的织构和表面形貌组织,衬底温度升高使生长速率参数α减小,金刚石晶体最快生长晶向由〈100〉晶向向〈011〉和〈111〉晶向转变,使得薄膜中{011}和{111}织构随温度提高不断增强。高频率孪晶使薄膜中没有形成{100}织构,而是形成了{122}和{522}织构。
关键词:
金刚石薄膜
,
衬底温度
,
织构
,
表面组织
黎波
,
龚恒翔
,
孟祥杰
,
任维义
,
陈太红
人工晶体学报
以醋酸锌水溶液为前驱体溶液,采用超声喷雾热分解法在玻璃衬底上制备得到了温度在350℃到450℃范围内的ZnO薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及紫外-可见分光光度计分析了ZnO薄膜的晶体结构、微观形貌及其光学性质,重点探究了衬底温度对ZnO薄膜生长过程及微观结构的影响.分析表明:制备的ZnO薄膜为六角铅锌矿结构,衬底温度对薄膜的质量有着重要的影响;所得薄膜在400℃时结晶性能好,沿c轴择优取向生长,具有优良的均匀性和致密性;所制备的薄膜在可见光区透过率高达86％以上,在紫外光区吸收强烈.
关键词:
ZnO薄膜
,
超声雾化热解法
,
衬底温度
,
微观形貌
,
透过率
张湘辉
,
汪灵
,
龙剑平
,
邓苗
,
冯珊
功能材料
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备，当开环流量不同时，在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明，当开环流量从10→5→15→20mL／min变化时，所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加，金刚石晶粒转变为以（110）面生长为主，且尺寸增大；并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动（稳定性）是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。
关键词:
直流弧光放电等离子体化学气相沉积法
,
纳米金刚石薄膜
,
基底温度
,
开-闭环复合控制
张华
,
杨坚
,
刘慧舟
,
冯校亮
,
王书明
功能材料
报道了用脉冲激光沉积技术(PLD)在CeO_2/YSZ/Y_2O_3/NiW衬底上连续制备YBCO超导层的研究结果.分析了衬底温度、薄膜厚度和退火时间分别对YBCO的织构、表面形貌及c轴晶格常数的影响.实验发现温度较低将导致a轴晶粒的生长,薄膜太厚将引起表面形貌变差,而YBCO薄膜c轴晶格常数随退火时间的增长而减小.最终得到了高质量的YBCO涂层导体,超导转变宽度(ΔT_c)为1.6K,临界电流密度(J_c)达1.3MA/cm~2(77K,SF).
关键词:
涂层导体
,
PLD
,
衬底温度
,
薄膜厚度
,
c轴晶格常数
肖娜
,
杜菲菲
,
邢韵
材料与冶金学报
doi:10.14186/j.cnki.1671-6620.2015.03.011
在不同沉积时间和基板温度下,采用反应磁控溅射的方法在Ti6Al4V基板上沉积TiN薄膜,溅射过程中固定溅射总压、溅射功率、氮氩流量比等沉积条件.利用XRD、SEM分别研究了薄膜的微观结构和表面、截面形貌,利用显微硬度仪和划痕仪分别测量了薄膜的硬度和膜基结合力.研究结果表明:随着沉积时间的增加,薄膜硬度和膜基结合力均有增大趋势;随着基板温度的升高,TiN薄膜择优取向由(lll)转向(200)晶面,表面形貌由三角锥转变为片层状,硬度和膜基结合力均呈现升高趋势.
关键词:
反应磁控溅射
,
TiN薄膜
,
沉积时间
,
基板温度
,
结合力
邢帅
,
刘钟馨
,
姜宏
,
熊春荣
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.005
以C4 H4 SnCl3和SbCl3为反应先驱体,采用常压化学气相沉积法制备Sb掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜沉积时间、基板温度以及Sb掺杂量对薄膜结构和红外反射性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对所制备薄膜的结构、形貌、成分进行了分析表征.XRD结果表明薄膜具有四方相金红石晶型结构,在基板温度为650℃时能制得结晶性能较好的多晶薄膜;XPS结果表明元素Sb主要以Sb5+的形式掺杂于SnO2薄膜中.还讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率等薄膜性质的影响.结果表明,当Sb掺杂量为2％,基板温度为600℃,镀膜时间为4 min时可制备出可见光透过率为75％、红外透过率仅为30％的薄膜,且此时薄膜方块电阻为38.4 Ω/□.
关键词:
化学气相沉积
,
薄膜
,
掺杂量
,
基板温度
邓福铭
,
杨俊杰
,
刘畅
,
王博
,
周欢子
,
赵晓凯
硬质合金
doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.12.004
热丝CVD法金刚石膜生长中基体温度对金刚石薄膜的质量有很大的影响,而基体与灯丝的距离决定着基体沉积温度的高低.本实验采用单一变量法,在其它工艺参数不变的情况下,研究不同基体与灯丝距离对CVD金刚石涂层的质量的影响.采用扫描电镜、Raman光谱、洛氏硬度计对试样的表面形貌、成分和涂层与基体的结合力进行测定.结果表明,当采用两步法基体预处理,在碳源体积浓度为2％、沉积气压为3kPa、反应功率为4 kW时,得到最优金刚石涂层质量的热丝与基体的距离为5 mm.
关键词:
基体温度
,
涂层质量
,
基体与灯丝距离
,
基体预处理
黄帅
,
李晨辉
,
孙宜华
,
柯文明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00064
采用陶瓷靶直流磁控溅射, 以玻璃为基底制备2.5wt% Nb掺杂TiO2薄膜, 控制薄膜厚度在300~350 nm, 研究了不同基底温度下所制得薄膜的结构、形貌和光学特性. XRD分析表明, 基底温度为150℃、250℃和350℃时, 薄膜分别为非晶态、锐钛矿(101)和金红石相(110)结构. 基底温度250℃时, 锐钛矿相薄膜的晶粒尺寸最大, 约为 32 nm. 薄膜表面形貌的SEM分析显示, 薄膜粗糙度和致密度随基底温度升高得到改善. 薄膜的平均可见光透过率在基底温度为250℃以内约为70%, 随基底温度升高至350℃, 平均透过率下降为59%, 金红石相的存在不利于可见光透过. Nb掺杂TiO2薄膜的光学带宽在3.68~3.78 eV之间变化. 基底温度为250℃时, 锐钛矿相薄膜的禁带宽度最大, 为3.78 eV.
关键词:
基底温度
,
TiO2
,
DC magnetron sputtering
,
ceramic target
,
structure
,
optical properties
